V případě EBG jsou vrstvy HfO2, tak i vrstvy Al2O3 deponovány technologií napařování, kdy dochází k odpařování jejich krystalických forem pomocí elektronů. Dopadající fokusovaný svazek elektronů řízeně rastrující po malé ploše rozžhaví krystalický materiál, který prochází dvěma fázovými přeměnami: tavením a následně vypařováním. Vše probíhá ve vakuové depoziční komoře. Odpařený materiál stoupá vzhůru, kondenzuje na substrátech. Ty jsou z důvodu rovnoměrnosti a uniformity vrstvy umístěny na otáčejícím se karuselu (33 ot/min). 

V případě ALD dochází k reálnému růstu po atomárních vrstvách. Základním principem technologie je střídavé řízené napouštění plynného materiálu o opticky vysokém, středním nebo nízkém indexu lomu – prekurzoru – do procesní vakuové komory. Následuje jeho reakce s podložkou ve formě kondenzace provázené růstem tenké vrstvy. Kontrolováním doby depozice je možno dosáhnout růstu tenké vrstvy požadované fyzické tloušťky. Vhodným výběrem prekurzorů je možno tento výrobní proces aplikovat při výrobě tenkých optických vrstev. Technologie ALD je koncipována tak, aby řízenou kombinací prekurzorů v symbióze s dalšími reaktivními plyny a teplotou substrátu umožnila růst pouze po monovrstvách.   

Antireflexní vrstva kombinující HfO2 a Al2O3 byla navržena z dostupných kombinací vysoko- a středněindexových materiálů stroje Bühler Optics SYRUSpro 1110 DUV a ALD Ultratech/CambridgeNanoTech  FIJI 200. Z hlediska optického jsou HfO2 i Al2O3 vhodnou volbou pro svoji spektrální propustnost kompatibilní s hlubokou ultrafialovou vlnovou oblastí od cca 200 nm  do  300 nm (Deep UltraViolet - DUV). I přes nízký vzájemný rozdíl indexu lomu λEBG(266 nm) = 2,06, λALD(266 nm) = 2,04 pro HfO2 a lomu λEBG(266 nm) = 1,62, λALD(266 nm) = 1,64 pro Al2O3 je možno dosáhnout nízkých hodnot odrazivosti. Vrstva byla navržena na základě společných depozičních materiálů pro obě technologie a pro svoji aplikovatelnost na běžné optické povrchy (rovina, sféra, asféra). Aplikace těchto vrstev nachází uplatnění především při realizaci antireflexních, dělicích v hluboké ultrafialové oblast, dále tvoří součást vysokoodrazných vrstev u optických prvků ve stejném vlnovém spektru. 

Technologie byla vyvinuta pro substráty typu Corning HPFS 7980, obecně lze aplikovat i na další typy skel, zde však narážíme na jejich omezení snížením propustnosti právě v této inkriminované oblasti.  

Z hlediska návrhu tenkých vrstev se jedná o 4 vrstevnatý laděný systém vzduch/Al2O3/HfO2/Al2O3/HfO2/substrát s jasnou vizí minimalizace počtu vrstev, snížení absorpce a definovaného rozložení vektoru intenzity elektrického pole. Systém je navržen rozladěný (ne běžný v λ/4 poměru optických tlouštěk). Je postaven na dvou tlustších a dvou tenčích dvojicích Al2O3/HfO2 pro dosažení vyšších hodnot prahu laserového poškození (Laser Induced Damage Threshold – LIDT). (Mechanismus výpočtu a hodnoty jednotlivých zdvihů jsou součástí IP Meopty.) 

Pro splnění podmínek odrazivosti R < 0,5 % a propustnosti vrstvy TPVD > 99,5 % u PVD, resp. TALD > 98,5 % u ALD a z hlediska stability výroby je nutné udržet v disperzní data velmi blízko  nominálních hodnot, viz obrázek 1. Tolerance kladená na index lomu je ± 0,05, na koeficient extinkce < 1´10-4, klíčově v intervalu á256, 276ñ nm. V případě zvýšené nestability je nutno ověřit jednotlivé materiály depozicí jednoduchých single-vrstev (tloušťka od 100 nm do 300 nm) a následným stanovením disperzních dat vyhodnocovacím SW (např. Macleod Thin Film, obálková metoda). 

Obrázek 1: Průběh indexu lomu a koeficientu extinkce pro technologie PVD (Bühler Optics SYRUSpro 1110 DUV (11)) a ALD (Ultratech/CambridgeNanoTech Fiji 200). 

Předpokládané teoretické průběhy a spektrální průběhy funkčních vzorků 4 vrstevnatých systému antireflexního pokrytí pro PVD i ALD jsou zobrazeny na obrázku 2. S ohledem na oblast použití HfO2 od cca 240 nm a výše, jsou výsledky v dobré shodě. Naměřené a na vrstvu přepočtené hodnoty odrazivosti a propustnosti na l=266 nm viz tabulka 1.