2024 - Ověřená technologie přípravy antireflexní vrstvy pro vlnovou délku 266 nm
Ověřená technologie přípravy antireflexní vrstvy pro vlnovou délku 266 nmpomocí depozice dielektrických vrstev technologií depozice z pevné fáze (PVD) a depozicí atomárních vrstev (ALD). U metody PVD jde technologii napařování pomocí elektronového děla s podporou plasmového děla (Advanced Plasma Source).
Depozice vysokoindexového materiálu HfO2a středněindexovéhoAl2O3 pro výrobu antireflexních systémů pro monochromatickou vlnovou délku 266 nm. S ohledem na vysokou citlivost DUV optiky na parametr absorpce je velmi důležité zachovat několik procesních kroků, které vedou k potlačení organické i anorganické kontaminace a soustředí se také na celkovou čistotu depozičního procesu. Pro udržení disperzních křivek stabilního indexu lomu, koeficientu extinkce na akceptovatelné hodnotě, vedoucí ke stabilní produkci a dosažení co nejlepších optických hodnot, jsou potřeba následující činnosti. Ty jsou ve velké míře společné jak pro PVD, tak i ALD.
Příprava depoziční komory:
-
Použití nízkodesorpčních materiálů kompatibilních s vysokým vakuem, eliminace potenciálních zdrojů nečistot a zdrojů desorpce – využití materiálů na bázi mědi, hliníku a nerezavějící oceli.
-
Demontáž odnímatelných dílů aparatury a jejich čištění – separátní proces čištění dedikovanými metodami, zavedeno v metodických postupech a pracovních instrukcích.
-
Vyčištění komory a její příprava před vrstvením – lihování součástí, vypečení a odplynění pro desorpci, protavení materiálů, regenerace čerpacího systému, ochranné zavrstvení procesní komory.
-
Dodržování pravidelných servisních intervalů, pravidelné čištění vakuové komory a jednotlivých komponent.
Připravený optický prvek před procesem vrstvení projde:
-
Mytím, kontrolou čistoty, vizuální kontrolou.
-
Dočištěním liho-étherovou směsí, popř. acetonem.
-
Vložením do zavrstvených kalot.
-
Závozem do procesní komory depozičního zařízení.
Depoziční proces PVD se skládá z:
-
Očištění povrchu O2 plasmatem nebo iontovým zdrojem po stanovenou dobu (> 60 sekund), popřípadě zbavení organické kontaminace očištěním v UVO (ozonové čištění).
-
Následné depozice (unikátní číslo programu) s definovanými procesními kroky (předehřátí komory, postupný start jednotlivých depozičních zdrojů, čerpání na mezní hodnotu vakua).
-
Chladnutí, postupné vytažení.
-
Spektrální kontroly – měření odrazivosti včetně testovacích klínů.
-
Kontroly čistoty optického prvku.
Depoziční proces ALD se skládá z:
-
Zbavení se organické kontaminace očištěním v UVO (ozonové čištění).
-
Následné depozice (unikátní číslo programu) s definovanými procesními kroky (předehřátí komory, postupný start jednotlivých depozičních zdrojů, čerpání na mezní hodnotu vakua).
-
Chladnutí, postupné vytažení.
-
Spektrální kontroly – měření propustnosti navrstvených svědečných skel.
-
Kontroly čistoty optického prvku.
Schéma: Diagram pro ALD proces přípravy AR vrstvy na 266 nm. Technologie je optimalizována na 250 °C, pracuje se v termálním režimu s prekurzory tetramethylaluminium (TMA, CAS.: 75-24-1), tetrakis(dimethylamino)hafnium (TDMAHf, CAS: 19782-68-4) and watervapor. Procesní kroky v diagramu jsou v sekundách, toky (flow) odpovídají klasifikaci používané v reaktoru UltratechFiji 200 a jsou v jednotce sccm (standartní kubický centimetr). Každý blok představuje jeden cyklus ALD (c. je zkratkou pro cyklus).
Jednotlivé kroky jsou popsány metodickými pokyny či pracovními instrukcemi. Při jejich dodržení lze dlouhodobě udržet stabilitu disperzních křivek, a zajistit tak i stabilní produkci tenkých vrstev s vysokou přidanou hodnotou v oblasti stanoveného prahu poškození. Tyto postupy jsou klíčové pro stroje, kde dochází při vykládce a zavádění substrátů k zavzdušnění a otevření procesní vakuové komory – technologie PVD napařování na strojích BühlerOpticsSYRUSpro1110 v Meoptě. Naopak u systému ALD Ultratech/CambridgeNanoTech FIJI 200, kde je procesní komora neustále čerpána a k závozu a vyjmutí dochází pomocí tzv. loadlocku, je externí vliv na disperzní data zanedbatelný. Zde je limitující celkové zavrstvení stroje. Historie výroby na strojích má velký vliv na výsledné parametry, pro zajištění nejvyšší kvality je nutno provádět depozice na vyčištěném nebo mírně zavrstveném stroji. Technologie výroby tenkých optických vrstev pro hlubokou ultrafialovou oblast lze aplikovat i na vlnové spektrum v rozmezí <240, 360> nm.
Primární kontrolou stability procesu je vyhodnocení nástřelové šarže na svědečné sklo a změření fotometrických veličin. V případě pochybností dochází k ověření stability disperzních křivek. To lze provést i na základě spektrálních měření vyráběných položek. V procesu teoretického návrhu vrstev dochází při simulacích k importu disperzních dat do výpočtu. Výsledný návrh optických vrstev je dále podroben Monte Carlo simulaci nepřesnosti výroby zahrnující jak výrobní nepřesnosti stroje, tak i nepřesnosti v rámci disperzních dat. Pokud se teoretická spektrální data a změřená spektrální data významně odlišují, je to ukazatel nestability a špatné čistoty procesu vrstvení. Dochází k ověření jednotlivých částí stroje a k neplánovanému vyčištění stroje. Po opakované testovací šarži je buď přistoupeno k výrobě, popřípadě dalším krokům vedoucím k vyřešení potíží. V rozhodovací smyčce zahrnující poruchu stroje, nestabilitu a výkyvy jednotlivých vstupů stroje je samozřejmě zavedeno i prověření disperzních křivek depozičního stroje. To znamená depozici jednoduchých vrstev a opětovné stanovení indexu lomu a koeficientu extinkce a porovnání s etablovanými hodnotami.
Obrázek níže ilustruje disperzní křivky jednotlivých depozičních materiálů. Klíčovým parametrem pro splnění parametrů modelů vícevrstevnatých systému je koeficient extinkce. Ten závisí jak na použitém materiálu – chemická čistota, použité kelímky, manipulace s materiálem, tak i na čistotě vrstvícího prostředí – míra zavrstvení stroje, použité materiály uvnitř vakuové komory (nerez, měď). Mocninný řád charakterizuje vlastní míru absorpce vrstvícího materiálu, tedy vlastní vnitřní ztráty. Udržení hodnot koeficientu extinkce v těchto řádech a hodnotách v rozmezí jednoho desetinného řádu (např. 10-8) u charakterizuje stabilitu stroje. Index lomu je v DUV ze zkušenosti více stabilní.
Obrázek: Grafické znázornění indexů lomů a koeficientů extinkce pro kritickou oblast DUV. Technologie naprašování (Helios 800) a napařování (SYRUSpro 1110 DUV).
V případě zvýšené nestability je nutno ověřit jednotlivé materiály depozicí jednoduchých single-vrstev (tl. od 100 nm do 300 nm) a následným stanovením disperzních dat vyhodnocovacím SW (např. MacleodThin Film, obálková metoda).
Aktuální hodnoty charakterizují připravenost výrobní technologie vrstevní pro přípravu vrstevnatých systémů se stabilní, vysokou hodnotou prahu poškození. Tato data se dále používají pro výpočet složitějších modelů antireflexních vrstev v hluboké ultrafialové oblasti. Skladba jednotlivých vrstev je počítána SW dle požadavků kladených spektrální vlastnosti optických prvků.
Vyvinuté technologie přípravy tenkých vrstev dále vyhovují požadavkům na odolnost dle MIL-PRF-13830B, jmenovitě:
-
abrazi pro prvotní zjištění celistvosti vrstvy – měkký otěr tkaninou (abrasion),
-
ponoření do solné lázně po dobu 24 hodin (salt solubility, koncentrace 4,4 g/l, pokojová teplota),
-
vlhkosti RH 95 % - 100 % prováděné v testovacích komorách za teploty 48,9°C ± 2,2°C po dobu 16 hodin (humidity, čas se počítá od dosažení předepsané teploty a vlhkosti),
-
působení solné mlhy o koncentraci 5 % ± 1 % po dobu 24 hodin při teplotě 35°C ± 2°C (salt sprayfog, nasycený roztok 5% NaCl, čas se počítá od dosažení předepsané koncentrace a teploty),
-
adhezi prováděné definovanou lepicí páskou (tape test, cellophanetape).